张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

详解半导体的光刻工艺全过程

芯论 ? 2019-04-30 11:42 ? 次阅读

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。

光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直 径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非???,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning )

光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。

光刻工艺过程

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)

方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气?;ぃ?/p>

目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。

2、涂底(PriMIng)

方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~2500C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。

目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。

3、旋转涂胶(SPIn-on PR Coating)

方法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);

b、动态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加速旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。

决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越??;旋转速度,速度越快,厚度越??;

影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。

一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):

I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。

4、软烘(Soft Baking)

方法:真空热板,85~120℃,30~60秒;

目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;

边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。

方法:a、化学的方法(Chemical EBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘出,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法(Optical EBR)。即硅片边缘曝光(WEE,WAFEr Edge Exposure)。在完成图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解

5、对准并曝光(Alignment and Exposure)

对准方法:a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;b、通过对准标志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外层间对准,即套刻精度(Overlay),保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。

曝光方法:a、接触式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。缺点:光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,寿命很低(只能使用5~25次);1970前使用,分辨率〉0.5μm。

b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm??梢员苊庥牍饪探褐苯咏哟ザ鸬难谀ぐ逅鹕?。但是同时引入了衍射效应,降低了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率仅为2~4μm。

c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。

投影式曝光分类:扫描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工艺;掩膜板1:1,全尺寸;

步进重复投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板缩小比例(4:1),曝光区域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆盖的区域)。增加了棱镜系统的制作难度。

扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光区域(Exposure Field)26×33mm。优点:增大了每次曝光的视??;提供硅片表面不平整的补偿;提高整个硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为需要反向运动,增加了机 械系统的精度要求。

在曝光过程中,需要对不同的参数和可能缺陷进行跟踪和控制,会用到检测控制芯片/控片 (Monitor Chip)。根据不同的检测控制对象,可以分为以下几种:a、颗??仄≒article MC):用于芯片上微小颗粒的监控,使用前其颗粒数应小于10颗;b、卡盘颗??仄–huck Particle MC):测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作为光刻机监控焦距监控;d、关键尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻区关键尺寸稳定性的监控;e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺陷监控。

举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。

光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm) ;数值孔径NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm

分辨率Resolution:0.18~0.25μm

(一般采用了偏轴照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);

套刻精度Overlay:65nm;产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);视场尺寸Field Size:25×32mm;

6、后烘(PEB,Post Exposure Baking)

方法:热板,110~1300C,1分钟。

目的:a、减少驻波效应;b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的?;せ欧⑸从Σ⒁瞥攀怪苋芙庥谙杂耙?。

7、显影(Development)

方法:a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;

b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变 化)。硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的 所有化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。

显影液:a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可 动离子污染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(TMAH)(标准当量浓度为0.26,温度 15~250C)。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的光刻胶没有影响;在化学放大光刻 胶(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的?;せ牛╰-BOC),从而使PHS快速溶解于TMAH显 影液中。整个显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。

b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)??拷砻娴墓饪探罕幌杂耙汗热芙?,形成台阶。显影时间太长。

8、硬烘(Hard Baking)

方法:热板,100~1300C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。

目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂 光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中?;は卤砻娴哪芰?;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进 一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。

常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中 的阻挡能力);降低针孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。

另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~2000C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。


原文标题:半导体的光刻工艺全过程技术详解!

文章出处:【微信号:xinlun99,微信公众号:芯论】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

12英寸生产线项目首台工艺设备搬入,华虹无锡项目推进顺利

预计6月将进行主要设备安装,力争提前三个月于9月底投产。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-27 10:53 ? 95次 阅读
12英寸生产线项目首台工艺设备搬入,华虹无锡项目推进顺利

美国目光短浅 导致芯片专业人才向中国回流

据报道:“美国已大幅放缓对国内半导体公司聘用中国籍员工担任高级工程职位的审批”。美国这一举动始于去年....
的头像 传感器技术 发表于 05-27 10:53 ? 66次 阅读
美国目光短浅 导致芯片专业人才向中国回流

是否掌握重组全球产业链的能力 才是贸易战中决胜的关键

这一战,日本人输得干干净净,从高峰时占据全球近80%的DRAM(俗称电脑内存)份额,跌到现在的零。这....
的头像 腾讯创业 发表于 05-27 10:41 ? 88次 阅读
是否掌握重组全球产业链的能力 才是贸易战中决胜的关键

台积电力挺华为 同时面临三大风险!

华为被美国列入封杀黑名单,美、欧大厂也纷纷跟进抵制,继谷歌宣布停止与华为合作后,全球处理器硅智财(I....
的头像 芯论 发表于 05-27 09:49 ? 177次 阅读
台积电力挺华为 同时面临三大风险!

美国“围堵”对中国制造业影响多大?工信部有什么措施应对?

美方对我国企业和产业的“围堵”“封锁”是否会“奏效”?如何看待新一轮加征关税对我国制造业的影响?工信....
的头像 芯论 发表于 05-27 09:43 ? 93次 阅读
美国“围堵”对中国制造业影响多大?工信部有什么措施应对?

中芯国际宣布从美股退市 突然退市为哪般?

5 月24 日晚,香港、美国两地上市的中芯国际在香港证券交易所发布公告称,公司决定主动从纽约证券交易....
的头像 WPR 发表于 05-27 08:41 ? 219次 阅读
中芯国际宣布从美股退市 突然退市为哪般?

为何英特尔能在计算半导体方面始终处于不败之地?

尽管老对手AMD和新贵英伟达来势迅猛,但芯片巨头英特尔在业务组合多样性、生态系统、市场资源方面的优势....
的头像 新智元 发表于 05-27 08:41 ? 106次 阅读
为何英特尔能在计算半导体方面始终处于不败之地?

张汝京:建立全球首个8英寸半导体量产实训基地

当前,我国半导体产业方兴未艾,如何加快人才培养以及掌握投资趋势是产业关注和研究的重点。
的头像 集成电路应用杂志 发表于 05-27 08:34 ? 76次 阅读
张汝京:建立全球首个8英寸半导体量产实训基地

中国芯片的产业深度分析一文看懂国产芯片现状

半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业因具有下游应用广泛、生产技术工序多、产品种类多、技....
的头像 WPR 发表于 05-26 11:40 ? 1115次 阅读
中国芯片的产业深度分析一文看懂国产芯片现状

徐州中科芯韵半导体产业投资基金正式签约落地 基金总规模2.005亿元

近日,徐州中科芯韵半导体产业投资基金(简称“中科芯韵基金”)正式签约落地,基金总规模2.005亿元,....
的头像 半导体动态 发表于 05-26 11:30 ? 675次 阅读
徐州中科芯韵半导体产业投资基金正式签约落地 基金总规模2.005亿元

大豪科技对上海兴感半导体投资人民币3000万元 资金将全部用于兴感半导体的研发团队

5月23日晚间,北京大豪科技股份有限公司(以下简称“大豪科技”)发布对外投资公告,称公司对上海兴感半....
的头像 半导体动态 发表于 05-26 11:23 ? 791次 阅读
大豪科技对上海兴感半导体投资人民币3000万元 资金将全部用于兴感半导体的研发团队

汽车电子芯片的详细市场分析

最近这个月,最炙手可热的就是芯片,德勤最近发布了《半导体:未来浪潮》的报告,里面有关汽车电子芯片的部....
的头像 汽车电子设计 发表于 05-26 10:57 ? 235次 阅读
汽车电子芯片的详细市场分析

半导体 | 让三星告诉你,舍不得千亿投入,就只能任人宰割!

最难走的路,往往就是最短的路。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-26 10:13 ? 688次 阅读
半导体 | 让三星告诉你,舍不得千亿投入,就只能任人宰割!

华为的海思芯片的10年发展历史你了解吗

最初,任正非为海思定下招聘两千人、三年内外销40亿人民币。 招人容易,卖钱难。人倒是凑得齐刷刷....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-26 09:51 ? 1130次 阅读
华为的海思芯片的10年发展历史你了解吗

窄带物联网和5G将成为关键的市场驱动因素 将会推动智慧城市发展

2018年全球经济存在很多不确定因素,很多半导体企业纷纷下调了对全年业绩的预期。再加之中美贸易战, ....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:40 ? 534次 阅读
窄带物联网和5G将成为关键的市场驱动因素 将会推动智慧城市发展

升阳半第1季营收5.94亿元 年增28.57%并创单季业绩歷史新高纪录

升阳半导体主要业务为再生晶圆及晶圆薄化。受惠再生晶圆市占率进一步提升,加上整合元件制造(IDM)厂扩....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:26 ? 384次 阅读
升阳半第1季营收5.94亿元 年增28.57%并创单季业绩歷史新高纪录

整合元件制造厂需求降温 委外代工订单缩减

业界指出,电源管理IC、MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)去年价量俱扬,但到第四季受美中贸易....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:22 ? 584次 阅读
整合元件制造厂需求降温 委外代工订单缩减

发展半导体芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路

“没有核心技术万万不能”,发展半导体芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路,华为事件让大家再次意识到这....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:19 ? 1613次 阅读
发展半导体芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路

半导体产业沉浮了42年 5次“再就业”

“大不了从头再来?!泵挥腥吮日湃昃└械灼嫡饩浠?。\x0a在半导体产业沉浮了42年,5次“再就业”....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:15 ? 367次 阅读
半导体产业沉浮了42年 5次“再就业”

科创板为半导体公司提供便捷融资渠道 加速半导体行业发展

科创板受理企业已超过百家,其中半导体和集成电路领域企业数量达20家左右,涉及设计、制造、设备和材料等....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-25 10:07 ? 385次 阅读
科创板为半导体公司提供便捷融资渠道 加速半导体行业发展

硅谷数模全球总部落户苏州高新区创业园 将打造百亿美元市值的国际化半导体公司

据“苏州高新区发布”报道,5月22日,苏州高新区与硅谷数模半导体、山海资本签订合作协议,硅谷数模全球....
的头像 半导体动态 发表于 05-24 17:03 ? 526次 阅读
硅谷数模全球总部落户苏州高新区创业园 将打造百亿美元市值的国际化半导体公司

ams、Ibeo和采埃孚强强联合 确保固态激光雷达技术能够更快得到应用

据报道,全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams)近日宣布,与德国汽车激光雷达(Li....
的头像 MEMS 发表于 05-24 16:34 ? 366次 阅读
ams、Ibeo和采埃孚强强联合 确保固态激光雷达技术能够更快得到应用

英飞凌与硕高智能科技携手并进 推动在电磁感应加热应用领域的应用

近日,英飞凌技术团队携手经销合作伙伴厦门信和达电子有限公司前往广东硕高智能科技有限公司(以下简称“硕....
的头像 英飞凌工业半导体 发表于 05-24 13:40 ? 241次 阅读
英飞凌与硕高智能科技携手并进 推动在电磁感应加热应用领域的应用

全球OSAT市场增长明显2023年将达400亿美元 中国企业表现抢眼

全球半导体OSAT产业集中度较为明显,市场主要由台湾和中国大陆企业所占据,全球前十大OSAT企业约占....
的头像 中国半导体论坛 发表于 05-24 11:26 ? 621次 阅读
全球OSAT市场增长明显2023年将达400亿美元 中国企业表现抢眼

中美贸易博弈 美国败局已定!

今年三月,在「美国优先」的原则下,川普开始向全世界几乎所有重要的国家发出一连串提高关税的通知,从钢和....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-24 11:21 ? 677次 阅读
中美贸易博弈 美国败局已定!

存储瓶颈日趋严重 数据存储核心专利国内企业缺席

5月23日,在数据中国·南京峰会暨2019紫光西部数据高峰论坛上,华中科技大学计算机学院院长冯丹教授....
发表于 05-24 10:47 ? 87次 阅读
存储瓶颈日趋严重 数据存储核心专利国内企业缺席

ARM封杀华为背后,中国半导体的真实困境!

在半导体这个领域,中国需要挑战的是,西方上百年积累起来的工业体系。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-24 10:30 ? 1187次 阅读
ARM封杀华为背后,中国半导体的真实困境!

苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 总投资3亿元

据新华社报道,近日,苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-24 09:47 ? 806次 阅读
苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 总投资3亿元

中科智芯半导体封测项目占地50亩 投资20亿元于2018年9月开工建设

近日,徐州中科芯韵半导体产业投资基金(简称“中科芯韵基金”)正式签约落地,基金总规模2.005亿元,....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-24 09:43 ? 349次 阅读
中科智芯半导体封测项目占地50亩 投资20亿元于2018年9月开工建设

国家升级集成电路和软件企业所得税优惠政策 进一步加强扶持力度

据财政部、税务总局近日消息,国家决定升级集成电路和软件企业所得税优惠政策,进一步加强扶持力度。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-24 09:10 ? 603次 阅读
国家升级集成电路和软件企业所得税优惠政策 进一步加强扶持力度

2019世界半导体大会圆满落幕 共十五家企业和单位获得大会最佳展示奖

南京市委常委、南京江北新区党工委专职副书记罗群,江苏省工业和信息化厅副厅长池宇,江北新区管委会副主任....
发表于 05-23 17:31 ? 449次 阅读
2019世界半导体大会圆满落幕 共十五家企业和单位获得大会最佳展示奖

美国大幅放缓对半导体公司聘用中国籍员工担任高级工程职位的审批

外媒称,业内人士称,美国已大幅放缓对美国半导体公司聘用中国籍员工担任高级工程职位的审批。此举已影响到....
的头像 半导体动态 发表于 05-23 17:15 ? 774次 阅读
美国大幅放缓对半导体公司聘用中国籍员工担任高级工程职位的审批

挑战摩尔定律极限 可考虑不同半导体架构

4月登场的「超大型积体电路国际研讨会」(VLSI-TSA/DAT)是全球半导体产业年度盛事,首场专题....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 05-23 16:56 ? 411次 阅读
挑战摩尔定律极限 可考虑不同半导体架构

闻泰科技借助安世半导体加快国际化进程 成为智能制造领域的领航企业

近日,全球手机ODM龙头闻泰科技针对5月9日证监会就其收购安世半导体申请材料出具的反馈意见进行了回复....
的头像 半导体投资联盟 发表于 05-23 15:34 ? 683次 阅读
闻泰科技借助安世半导体加快国际化进程 成为智能制造领域的领航企业

华为大陆供应商全解析

2018年,华为的芯片采购金额是210亿美元,是世界第三大买家,占全球销量的4.4%,从这个角度讲,....
的头像 TechSugar 发表于 05-23 15:22 ? 1187次 阅读
华为大陆供应商全解析

美国大幅减缓本土半导体公司雇用中国公民 阻止他们聘用中国员工

据报道,业内人士透露,在白宫为?;っ拦际踔抖龀龈惴号χ?。美国已经大幅减缓了本土半导体公司....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 15:12 ? 474次 阅读
美国大幅减缓本土半导体公司雇用中国公民 阻止他们聘用中国员工

PCB与半导体封装载板市场概况:规模近500亿美元!

??榛τ媒晌狿CB和封装载板的下一个主战场
的头像 PCB行业融合新媒体 发表于 05-23 14:46 ? 345次 阅读
PCB与半导体封装载板市场概况:规模近500亿美元!

在半导体设计领域,部分企业研发能力已达7纳米

紫光展锐手机基带芯片市场份额位居世界第三。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-23 14:10 ? 480次 阅读
在半导体设计领域,部分企业研发能力已达7纳米

海外供货商会否继续向华为供货 取决于美国会否扩大制裁

香港资讯科技商会荣誉会长方保侨对BBC中文表示,美国与台湾、日本关系密切,这些海外公司目前持观望态度....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 13:57 ? 1146次 阅读
海外供货商会否继续向华为供货 取决于美国会否扩大制裁

美国芯片企业被禁止雇佣中国员工?

美国已经大幅减缓了本土半导体公司雇用中国公民从事高级工程工作的批准。
的头像 半导体行业联盟 发表于 05-23 11:36 ? 1138次 阅读
美国芯片企业被禁止雇佣中国员工?

英飞凌和AMS将继续向华为供货

欧洲半导体制造商表示,在受到美国的影响后,他们仍会继续向华为供货。
的头像 皇华电子元器件IC供应商 发表于 05-23 11:29 ? 646次 阅读
英飞凌和AMS将继续向华为供货

中国半导体市场需求约为全球的1/3 年均复合增速超过20%。

中国半导体市场需求约为全球的1/3,年均复合增速超过20%。随着 5G、消费电子、汽车电子等下游产业....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 11:26 ? 378次 阅读
中国半导体市场需求约为全球的1/3 年均复合增速超过20%。

未来IC封装材料市场增长空间巨大 有利于国产化封装材料的应用

亚化咨询估算,2018年全球IC封装材料市场规模达200亿美元。当前,全球半导体封装材料的主要供应商....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 11:09 ? 437次 阅读
未来IC封装材料市场增长空间巨大 有利于国产化封装材料的应用

积塔半导体特色工艺生产线项目厂房结构封顶仪式在上海临港举行

近日,积塔半导体特色工艺生产线项目厂房结构封顶仪式在上海临港举行。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 10:56 ? 690次 阅读
积塔半导体特色工艺生产线项目厂房结构封顶仪式在上海临港举行

嘉楠捷思荣获“2018年度风眼创新企业暨第二届IC独角兽”

2019世界半导体大会中国IC独角兽论坛在南京国际博览会议中心举行,中国半导体行业协会相关领导、芯合....
发表于 05-23 09:57 ? 144次 阅读
嘉楠捷思荣获“2018年度风眼创新企业暨第二届IC独角兽”

天承科技致力于研发和生产电路板行业需要的各种化学药水

中国是电路板制造大国,产品供应全世界电子行业。特别是近几年,我国的电路板产量连续占据世界第一,但我国....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 09:47 ? 519次 阅读
天承科技致力于研发和生产电路板行业需要的各种化学药水

奥特斯不只是制造PCB或者IC封装载板 还要融入到整个半导体产业链

在微电子和半导体行业的发展方面,潘正锵提到了微型化和??榛?。他指出,微型化发展将提升计算和数据处理能....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 09:42 ? 456次 阅读
奥特斯不只是制造PCB或者IC封装载板 还要融入到整个半导体产业链

特朗普的下一个打击对象?美国正在向华裔科技人员下手

在一些敏感技术和项目上,美国近一年来已经大幅延缓了本土企业雇佣中国籍员工的许可审批。
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-23 09:00 ? 1006次 阅读
特朗普的下一个打击对象?美国正在向华裔科技人员下手

美国半导体公司聘用出险招 放缓聘用担任高级工程师的中国籍员工

外媒称,业内人士称,美国已大幅放缓对美国半导体公司聘用中国籍员工担任高级工程职位的审批。此举已影响到....
发表于 05-23 07:51 ? 355次 阅读
美国半导体公司聘用出险招 放缓聘用担任高级工程师的中国籍员工

元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加....
的头像 华强芯城官网 发表于 05-22 18:10 ? 840次 阅读
元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

上周(5月13日),国家财政部宣布:自今年6月1日起,对原产于美国的部分进口商品提高加征关税税率,加征幅度5-25%。 中国如此...
发表于 05-22 17:43 ? 212次 阅读
元器件关税上调,华为被“围堵”,半导体行业深陷贸易战漩涡?(附关税上调通知)

低功耗DFM和高速接口

近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设...
发表于 05-20 05:00 ? 57次 阅读
低功耗DFM和高速接口

4155C/4156C半导体参数分析仪样本应用程序指南

Guide book of sample application programs furnished with 4155C/4156C...
发表于 05-17 16:19 ? 93次 阅读
4155C/4156C半导体参数分析仪样本应用程序指南

新型数字电容隔离器的功能原理和内部结构

作者:Thomas Kugelstadt,德州仪器 (TI) 高级应用工程师 工业和医疗应用中机器和设备设计规定的愈加严格迫使我们必须要在...
发表于 05-16 07:00 ? 71次 阅读
新型数字电容隔离器的功能原理和内部结构

高性能功率半导体封装在汽车通孔的应用

作者:Benjamin Jackson汽车MOSFET与DirectFET产品部产品及业务发展经理 国际整流器公司 能效十分重要。事实上...
发表于 05-13 14:11 ? 248次 阅读
高性能功率半导体封装在汽车通孔的应用

请问fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只有一个ram就好了吗?

fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只有一个ram就好了吗? ...
发表于 05-07 15:36 ? 291次 阅读
请问fft中采用同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只有一个ram就好了吗?

半导体照明的劣势

LED照明技术缺点的有哪些(附图)
发表于 04-30 14:50 ? 101次 阅读
半导体照明的劣势

解读可分解的有机半导体芯片

    来自于美国史丹佛大学的研究团队,制造出了一种像皮肤般柔软且有机的半导体元件,只需对其添加弱酸,比如醋酸,该...
发表于 04-25 14:00 ? 544次 阅读
解读可分解的有机半导体芯片

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 ? 568次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
发表于 04-13 22:28 ? 422次 阅读
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 ? 682次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 ? 74次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
发表于 01-08 17:51 ? 77次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 ? 88次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期??梢酝ü贑T引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度?;?,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 ? 111次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 ? 68次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 ? 85次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 ? 144次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器??椋℉WA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 ? 543次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 ? 82次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)?;ぃ?kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 ? 86次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 ? 118次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流?;?,过流检测和过压?;さ缏?,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转?;?推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 ? 93次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 ? 147次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 ? 138次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 ? 187次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 ? 125次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 ? 116次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 ? 102次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 ? 86次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
天线宝宝67期马报资料 海南省| 兴城市| 安溪县| 永吉县| 莱州市| 莆田市| 永城市| 白山市| 石柱| 亚东县| 馆陶县| 五指山市| 彝良县| 兰溪市| 阿拉尔市| 荆州市| 辉县市| 阿拉善盟| 乐至县| 湖州市| 永仁县| 荥经县| 湛江市| 海阳市| 深水埗区| 沙雅县| http://www.zsh1093.tw 宜春市| 北流市| 鄂托克前旗| 陆良县| 林芝县| 安徽省| 鹤峰县| 昌江| 十堰市| 堆龙德庆县| 富民县| 馆陶县| 仙游县| 肇源县| 云梦县| 都江堰市| 东乡| 永昌县| 德钦县| 大关县| 蒙山县| 新余市| 泗阳县| 栾川县| 辽阳县| 顺义区| 克什克腾旗| 车险| 福安市| http://www.7904law.cn 班戈县| 申扎县| 高阳县| 永泰县| 韶山市| 高阳县| 阿尔山市| 普兰店市| 紫金县| 宾阳县| 台湾省| 泽库县| 华坪县| 咸丰县| 鞍山市| 林周县| 泰和县| 偏关县| 江口县| 柘荣县| 岐山县| 台安县| 兴宁市| 怀来县| 云龙县| 铁岭县| 东乡县| 万州区| 津南区| 上高县| 崇阳县| 汶上县| 万源市| 永德县| http://kpo771.cn 乾安县| 邢台县| 平安县| 桐乡市| 榆社县| 讷河市| 庄河市| 平乐县| 西藏| 平湖市| 称多县| 上虞市| 天全县| 东乡族自治县| 竹北市| 鄂伦春自治旗| 资中县| 迭部县| 阿巴嘎旗| 武平县| 宣恩县| 英山县| 佛学| 松原市| 巴林右旗| 黄冈市| 吴旗县| 永吉县| 潜山县| http://wdj92.co 东山县| 温州市| 内丘县| 余庆县| 岳西县| 图木舒克市| 宁武县| 抚顺县| 基隆市| 大埔县| 开鲁县| 水富县| 克山县| 南和县| 滁州市| 黄陵县| 德兴市| 盐亭县| 榆树市| 青海省| 务川| 五河县| 吴江市| 禹州市| 白银市| 宜川县| 耒阳市| 永川市| 湛江市| http://fta0540.co 陵水| 新宁县| 玉山县| 都昌县| 乌拉特后旗| 无极县| 黄石市| 包头市| 库尔勒市| 康乐县| 南岸区| 察哈| 五莲县| 阿鲁科尔沁旗| 新兴县| 赤峰市| 兴业县| 剑河县| 南充市| 五华县| 普格县| 延安市| 天镇县| 西平县| 鄱阳县| 巢湖市| 尚志市| 绥芬河市| http://ug4udu.com 安化县| 永修县| 中阳县| 柞水县| 奉化市| 社会| 莆田市| 汉阴县| 闵行区| 河池市| 融水| 宜昌市| 瑞丽市| 略阳县| 贞丰县| 应城市| 裕民县|